在常溫下受熱激勵(lì)所產(chǎn)生的自由電子和空穴的數(shù)量很少，為提高半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力，通常在半導(dǎo)體中摻入微量的有用雜質(zhì)，制成摻雜半導(dǎo)體。摻雜半導(dǎo)體有N型有p型。
N型半導(dǎo)體自由電子數(shù)遠(yuǎn)多于空穴數(shù)，這些自由電子是多數(shù)載流子，而空穴是少數(shù)載流子，導(dǎo)電能力主要靠自由電子，稱(chēng)為電子型半導(dǎo)體,簡(jiǎn)稱(chēng)N型半導(dǎo)體。P型半導(dǎo)體空穴數(shù)遠(yuǎn)多于自由電子數(shù),這些空穴是多數(shù)載流子,而自由電子是少數(shù)載流子,導(dǎo)電能力主要靠空穴,稱(chēng)為空穴型半導(dǎo)體,簡(jiǎn)稱(chēng)P型半導(dǎo)體.